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CPE
EPC è leader nel settore dei dispositivi di gestione dell'energia basati sul nitruro di gallio.EPC è stata la prima a introdurre FET in modalità di potenziamento del nitruro di gallio sul silicio (eGaN®) come sostituti di MOSFET di potenza in applicazioni come i convertitori DC-DC, trasferimento di potenza wireless, tracciamento dell'involucro, trasmissione RF, inverter di potenza, tecnologia di telerilevamento (LiDAR),e amplificatori audio di classe D con prestazioni del dispositivo molte volte superiori ai migliori MOSFET a potenza di silicio.
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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EPC21601ENGRT |
IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
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In magazzino
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EPC21701 |
IC GAN LASER DRVR 80V
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In magazzino
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EPC21601 |
Conducibile laser IC 40V 10A 3.3VLOGIC
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In magazzino
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EPC21603ENGRT |
IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
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In magazzino
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