APTGL475A120D3G
fabbricante:
Tecnologia dei microchip
Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 610A 2080W D3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
610 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
Modulo D-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 400A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
D3
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
5 mA
Tipo IGBT:
Ferma di campo di trincea
Potenza - Max:
2080 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
24.6 nF @ 25 V
Configurazione:
Mezzo ponte
Termistor NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
APTGL475
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop Mezzo ponte 1200 V 610 A 2080 W Montatura del telaio D3
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Di riserva:
MOQ: