FF225R12ME4B11BPSA1
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
320 A
Status del prodotto:
Interrotto da Digi-Key
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
EconoDUALTM 3
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 225A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - limite del collettore (massimo):
3 mA
Tipo IGBT:
Ferma di campo di trincea
Potenza - Max:
1050 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Configurazione:
2 Indipendente
Termistor NTC:
- Sì.
Numero del prodotto di base:
FF225R12
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop 2 indipendente 1200 V 320 A 1050 W Modulo di montaggio del telaio
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Di riserva:
MOQ: