FS35R12W1T4BOMA1
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
IGBT MOD 1200V 65A 225W
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
65 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 35A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
1 mA
Tipo IGBT:
Ferma di campo di trincea
Potenza - Max:
225 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore a tre fasi
Termistor NTC:
- Sì.
Numero del prodotto di base:
FS35R12
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop Inverter a tre fasi 1200 V 65 A 225 W Modulo montato sul telaio
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Di riserva:
MOQ: