FF200R12KT3EHOSA1
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 1050W
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - limite del collettore (massimo):
5 mA
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
C
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Potenza - Max:
1050 W
Tipo IGBT:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configurazione:
2 Indipendente
Termistor NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF200R12
Introduzione
Modulo IGBT 2 Modulo indipendente montato sul telaio da 1200 V 1050 W
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: