FF150R12ME3GBOSA1
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
IGBT MOD 1200V 200A 695W
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
200 A
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
EconoDUALTM
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 150A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - limite del collettore (massimo):
5 mA
Tipo IGBT:
Ferma di campo di trincea
Potenza - Max:
695 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
10.5 nF @ 25 V
Configurazione:
Mezzo ponte
Termistor NTC:
- Sì.
Numero del prodotto di base:
FF150R12M
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Modulo montato sul telaio
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Di riserva:
MOQ: