FF200R12KE4HOSA1
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
240 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
C
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
5 mA
Tipo IGBT:
Ferma di campo di trincea
Potenza - Max:
1100 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configurazione:
Mezzo ponte
Termistor NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF200R12
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop Mezzo ponte 1200 V 240 A 1100 W Modulo di montaggio del telaio
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Di riserva:
MOQ: