MG50P12E2A
fabbricante:
Tecnologia Yangjie
Descrizione:
Transistori - IGBT - Moduli E2
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
50 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 35A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potenza - Max:
227 W
Input:
raddrizzatore a ponte trifase
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore trifase con il freno
Termistor NTC:
- Sì.
Introduzione
Modulo IGBT Invertitore trifase con frenata 1200 V 50 A 227 W montatura del telaio
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