APTGV50H120T3G
fabbricante:
Microsemi Corporation
Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 75A 270W SP3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
75 A
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SP3
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura di funzionamento:
-
Corrente - limite del collettore (massimo):
250 μA
Tipo IGBT:
NPT, Trench Field Stop
Potenza - Max:
270 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore pieno del ponte
Termistor NTC:
- Sì.
Introduzione
Modulo IGBT NPT, fermata di campo di trincea Full Bridge Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount SP3
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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APT50GF60JU3 |
IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
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APTGF300DA120G |
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