APTGF150A120T3WG
fabbricante:
Microsemi Corporation
Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 210A 961W SP3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
210 A
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 150A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SP3
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura di funzionamento:
-
Corrente - limite del collettore (massimo):
250 μA
Tipo IGBT:
Trattato di non proliferazione
Potenza - Max:
961 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25 V
Configurazione:
Mezzo ponte
Termistor NTC:
- Sì.
Introduzione
Modulo IGBT NPT Half Bridge 1200 V 210 A 961 W Montatura del telaio SP3
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