APTGFQ25H120T2G
fabbricante:
Microsemi Corporation
Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 40A 227W SP2
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
40 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
SP2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SP2
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura di funzionamento:
-
Corrente - limite del collettore (massimo):
250 μA
Tipo IGBT:
TNP e Fieldstop
Potenza - Max:
227 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25 V
Configurazione:
Ponte pieno
Termistor NTC:
- Sì.
Numero del prodotto di base:
APTGFQ25
Introduzione
Modulo IGBT NPT e Fieldstop Full Bridge 1200 V 40 A 227 W attraverso foro SP2
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